05. SURFACE CHEMISTRY (HM)
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206983 किसी ठोस की सतह पर गैस का अधिशोषण गैस के दाब के साथ निम्न में से किस क्रम में बदलता है

1 तीव्रधीमादाब से स्वतंत्र
2 धीमातीव्र दाब से स्वतंत्र
3 दाब से स्वतंत्रतीव्रधीमा
4 दाब से स्वतंत्रधीमातीव्र
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206985 "अधिशोषण" प्रक्रिया हमेशा होती है

1 ऊष्माशोषी
2 ऊष्माक्षेपी
3 (a) अथवा  (b)
4 इनमें से कोई नहीं
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206986 एक कोलॉइडी निकाय जिसमें अधिशोष्य ठोस अधिशोषक द्रव में है, वह कहलायेगा

1 एरोसॉल
2 सॉल
3 झाग
4 जैल
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206983 किसी ठोस की सतह पर गैस का अधिशोषण गैस के दाब के साथ निम्न में से किस क्रम में बदलता है

1 तीव्रधीमादाब से स्वतंत्र
2 धीमातीव्र दाब से स्वतंत्र
3 दाब से स्वतंत्रतीव्रधीमा
4 दाब से स्वतंत्रधीमातीव्र
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206984 रासायनिक अधिशोषण के लिये अनुपयुक्त कथन है

1 इसकी दर धीमी होती है
2 यह अनुत्क्रमणीय है
3 यह अत्यधिक विशिष्ट होता है
4 यह ताप पर निर्भर नहीं करता
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206985 "अधिशोषण" प्रक्रिया हमेशा होती है

1 ऊष्माशोषी
2 ऊष्माक्षेपी
3 (a) अथवा  (b)
4 इनमें से कोई नहीं
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206986 एक कोलॉइडी निकाय जिसमें अधिशोष्य ठोस अधिशोषक द्रव में है, वह कहलायेगा

1 एरोसॉल
2 सॉल
3 झाग
4 जैल
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206983 किसी ठोस की सतह पर गैस का अधिशोषण गैस के दाब के साथ निम्न में से किस क्रम में बदलता है

1 तीव्रधीमादाब से स्वतंत्र
2 धीमातीव्र दाब से स्वतंत्र
3 दाब से स्वतंत्रतीव्रधीमा
4 दाब से स्वतंत्रधीमातीव्र
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206984 रासायनिक अधिशोषण के लिये अनुपयुक्त कथन है

1 इसकी दर धीमी होती है
2 यह अनुत्क्रमणीय है
3 यह अत्यधिक विशिष्ट होता है
4 यह ताप पर निर्भर नहीं करता
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206985 "अधिशोषण" प्रक्रिया हमेशा होती है

1 ऊष्माशोषी
2 ऊष्माक्षेपी
3 (a) अथवा  (b)
4 इनमें से कोई नहीं
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206986 एक कोलॉइडी निकाय जिसमें अधिशोष्य ठोस अधिशोषक द्रव में है, वह कहलायेगा

1 एरोसॉल
2 सॉल
3 झाग
4 जैल
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206983 किसी ठोस की सतह पर गैस का अधिशोषण गैस के दाब के साथ निम्न में से किस क्रम में बदलता है

1 तीव्रधीमादाब से स्वतंत्र
2 धीमातीव्र दाब से स्वतंत्र
3 दाब से स्वतंत्रतीव्रधीमा
4 दाब से स्वतंत्रधीमातीव्र
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206984 रासायनिक अधिशोषण के लिये अनुपयुक्त कथन है

1 इसकी दर धीमी होती है
2 यह अनुत्क्रमणीय है
3 यह अत्यधिक विशिष्ट होता है
4 यह ताप पर निर्भर नहीं करता
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206985 "अधिशोषण" प्रक्रिया हमेशा होती है

1 ऊष्माशोषी
2 ऊष्माक्षेपी
3 (a) अथवा  (b)
4 इनमें से कोई नहीं
05. SURFACE CHEMISTRY (HM)

206986 एक कोलॉइडी निकाय जिसमें अधिशोष्य ठोस अधिशोषक द्रव में है, वह कहलायेगा

1 एरोसॉल
2 सॉल
3 झाग
4 जैल