लोहे की छड़ पर भूरी पर्त जमती है क्योंकि \(F{e^{2 + }}\) की अपेक्षा \(Cu\) का अपचयन विभव अधिक होता है।
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206228
जब किसी धातु की छड़ \(A \) को \(25\,^oC \) पर धातु \( B \) (\({B^{2 + }}\) आयनों का सान्द्रण \(1\,M\) ) के जलीय विलयन में डुबोया जाता है तो मानक इलेक्ट्रोड विभव है \({A^{2 + }}/A\) \( = -0.76 \) वोल्ट, \({B^{2 + }}\) \(/B = + 0.34\) वोल्ट
1 \(A\) धीरे-धीरे घुल जायेगा
2 \(A\) पर \(B\) जमा हो जायेगा
3 कोई क्रिया नहीं होगी
4 जल \({H_2}\) तथा \({O_2}\) में विघटित हो जायेगा
Explanation:
चूँकि \(E_{{A^{2 + }}/A}^o < E_{{B^{2 + }}/B}^o\), \(A \) में ऑक्सीकृत होने की अधिक प्रवृत्ति होती है। \(A + {B^{2 + }} \to {A^{2 + }} + B\).
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206229
समीकरण \(Z{n^{2 + }} + 2{e^ - } \to Zn\) का मानक विभव \( - 0.76\,V\) है इसका अर्थ है
1 \(Zn\) अम्लों से हाइड्रोजन विस्थापित नहीं कर सकता
2 \(Zn\) अपचायक है
3 \(Zn\) ऑक्सीकारक है
4 \(Z{n^{2 + }}\) अपचायक है
Explanation:
चूँकि \(E_{Z{n^{ + + }}/Zn}^o\) ऋणात्मक है, इसलिये हाइड्रोजन की अपेक्षा \(Zn\) में ऑक्सीकृत होने की प्रव्रुति अधिक होती है, इसलिये ये अपचायक के समान कार्य कर सकता है।
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206235
एक स्वत: अभिक्रिया के लिये \(\Delta G,\) साम्यस्थिरांक \((K) \) तथा \(E_{Cell}^o\) क्रमश: होंगे
1 \( - ve,\, > 1,\, + ve\)
2 \( + ve,\, > 1,\, - ve\)
3 \( - ve,\, < 1,\, - ve\)
4 \( - ve,\, > 1,\, - ve\)
Explanation:
we know \(\Delta G =- RT \ln K =- nF E ^{\circ}\) We know for a spontaneous reaction \(\Delta G \,<\,0 \text {. }\) \(\therefore- RT \ln K \,<\,0\) \(\therefore \ln K\,>\,0\) \(\therefore K\,>\,1\) and \(- nF E ^{\circ}<0\) \(\therefore E _{\text {cell }}^{\circ}\,>\,0\)
लोहे की छड़ पर भूरी पर्त जमती है क्योंकि \(F{e^{2 + }}\) की अपेक्षा \(Cu\) का अपचयन विभव अधिक होता है।
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206228
जब किसी धातु की छड़ \(A \) को \(25\,^oC \) पर धातु \( B \) (\({B^{2 + }}\) आयनों का सान्द्रण \(1\,M\) ) के जलीय विलयन में डुबोया जाता है तो मानक इलेक्ट्रोड विभव है \({A^{2 + }}/A\) \( = -0.76 \) वोल्ट, \({B^{2 + }}\) \(/B = + 0.34\) वोल्ट
1 \(A\) धीरे-धीरे घुल जायेगा
2 \(A\) पर \(B\) जमा हो जायेगा
3 कोई क्रिया नहीं होगी
4 जल \({H_2}\) तथा \({O_2}\) में विघटित हो जायेगा
Explanation:
चूँकि \(E_{{A^{2 + }}/A}^o < E_{{B^{2 + }}/B}^o\), \(A \) में ऑक्सीकृत होने की अधिक प्रवृत्ति होती है। \(A + {B^{2 + }} \to {A^{2 + }} + B\).
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206229
समीकरण \(Z{n^{2 + }} + 2{e^ - } \to Zn\) का मानक विभव \( - 0.76\,V\) है इसका अर्थ है
1 \(Zn\) अम्लों से हाइड्रोजन विस्थापित नहीं कर सकता
2 \(Zn\) अपचायक है
3 \(Zn\) ऑक्सीकारक है
4 \(Z{n^{2 + }}\) अपचायक है
Explanation:
चूँकि \(E_{Z{n^{ + + }}/Zn}^o\) ऋणात्मक है, इसलिये हाइड्रोजन की अपेक्षा \(Zn\) में ऑक्सीकृत होने की प्रव्रुति अधिक होती है, इसलिये ये अपचायक के समान कार्य कर सकता है।
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206235
एक स्वत: अभिक्रिया के लिये \(\Delta G,\) साम्यस्थिरांक \((K) \) तथा \(E_{Cell}^o\) क्रमश: होंगे
1 \( - ve,\, > 1,\, + ve\)
2 \( + ve,\, > 1,\, - ve\)
3 \( - ve,\, < 1,\, - ve\)
4 \( - ve,\, > 1,\, - ve\)
Explanation:
we know \(\Delta G =- RT \ln K =- nF E ^{\circ}\) We know for a spontaneous reaction \(\Delta G \,<\,0 \text {. }\) \(\therefore- RT \ln K \,<\,0\) \(\therefore \ln K\,>\,0\) \(\therefore K\,>\,1\) and \(- nF E ^{\circ}<0\) \(\therefore E _{\text {cell }}^{\circ}\,>\,0\)
लोहे की छड़ पर भूरी पर्त जमती है क्योंकि \(F{e^{2 + }}\) की अपेक्षा \(Cu\) का अपचयन विभव अधिक होता है।
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206228
जब किसी धातु की छड़ \(A \) को \(25\,^oC \) पर धातु \( B \) (\({B^{2 + }}\) आयनों का सान्द्रण \(1\,M\) ) के जलीय विलयन में डुबोया जाता है तो मानक इलेक्ट्रोड विभव है \({A^{2 + }}/A\) \( = -0.76 \) वोल्ट, \({B^{2 + }}\) \(/B = + 0.34\) वोल्ट
1 \(A\) धीरे-धीरे घुल जायेगा
2 \(A\) पर \(B\) जमा हो जायेगा
3 कोई क्रिया नहीं होगी
4 जल \({H_2}\) तथा \({O_2}\) में विघटित हो जायेगा
Explanation:
चूँकि \(E_{{A^{2 + }}/A}^o < E_{{B^{2 + }}/B}^o\), \(A \) में ऑक्सीकृत होने की अधिक प्रवृत्ति होती है। \(A + {B^{2 + }} \to {A^{2 + }} + B\).
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206229
समीकरण \(Z{n^{2 + }} + 2{e^ - } \to Zn\) का मानक विभव \( - 0.76\,V\) है इसका अर्थ है
1 \(Zn\) अम्लों से हाइड्रोजन विस्थापित नहीं कर सकता
2 \(Zn\) अपचायक है
3 \(Zn\) ऑक्सीकारक है
4 \(Z{n^{2 + }}\) अपचायक है
Explanation:
चूँकि \(E_{Z{n^{ + + }}/Zn}^o\) ऋणात्मक है, इसलिये हाइड्रोजन की अपेक्षा \(Zn\) में ऑक्सीकृत होने की प्रव्रुति अधिक होती है, इसलिये ये अपचायक के समान कार्य कर सकता है।
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206235
एक स्वत: अभिक्रिया के लिये \(\Delta G,\) साम्यस्थिरांक \((K) \) तथा \(E_{Cell}^o\) क्रमश: होंगे
1 \( - ve,\, > 1,\, + ve\)
2 \( + ve,\, > 1,\, - ve\)
3 \( - ve,\, < 1,\, - ve\)
4 \( - ve,\, > 1,\, - ve\)
Explanation:
we know \(\Delta G =- RT \ln K =- nF E ^{\circ}\) We know for a spontaneous reaction \(\Delta G \,<\,0 \text {. }\) \(\therefore- RT \ln K \,<\,0\) \(\therefore \ln K\,>\,0\) \(\therefore K\,>\,1\) and \(- nF E ^{\circ}<0\) \(\therefore E _{\text {cell }}^{\circ}\,>\,0\)
लोहे की छड़ पर भूरी पर्त जमती है क्योंकि \(F{e^{2 + }}\) की अपेक्षा \(Cu\) का अपचयन विभव अधिक होता है।
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206228
जब किसी धातु की छड़ \(A \) को \(25\,^oC \) पर धातु \( B \) (\({B^{2 + }}\) आयनों का सान्द्रण \(1\,M\) ) के जलीय विलयन में डुबोया जाता है तो मानक इलेक्ट्रोड विभव है \({A^{2 + }}/A\) \( = -0.76 \) वोल्ट, \({B^{2 + }}\) \(/B = + 0.34\) वोल्ट
1 \(A\) धीरे-धीरे घुल जायेगा
2 \(A\) पर \(B\) जमा हो जायेगा
3 कोई क्रिया नहीं होगी
4 जल \({H_2}\) तथा \({O_2}\) में विघटित हो जायेगा
Explanation:
चूँकि \(E_{{A^{2 + }}/A}^o < E_{{B^{2 + }}/B}^o\), \(A \) में ऑक्सीकृत होने की अधिक प्रवृत्ति होती है। \(A + {B^{2 + }} \to {A^{2 + }} + B\).
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206229
समीकरण \(Z{n^{2 + }} + 2{e^ - } \to Zn\) का मानक विभव \( - 0.76\,V\) है इसका अर्थ है
1 \(Zn\) अम्लों से हाइड्रोजन विस्थापित नहीं कर सकता
2 \(Zn\) अपचायक है
3 \(Zn\) ऑक्सीकारक है
4 \(Z{n^{2 + }}\) अपचायक है
Explanation:
चूँकि \(E_{Z{n^{ + + }}/Zn}^o\) ऋणात्मक है, इसलिये हाइड्रोजन की अपेक्षा \(Zn\) में ऑक्सीकृत होने की प्रव्रुति अधिक होती है, इसलिये ये अपचायक के समान कार्य कर सकता है।
03. ELECTROCHEMISTRY (HM)
206235
एक स्वत: अभिक्रिया के लिये \(\Delta G,\) साम्यस्थिरांक \((K) \) तथा \(E_{Cell}^o\) क्रमश: होंगे
1 \( - ve,\, > 1,\, + ve\)
2 \( + ve,\, > 1,\, - ve\)
3 \( - ve,\, < 1,\, - ve\)
4 \( - ve,\, > 1,\, - ve\)
Explanation:
we know \(\Delta G =- RT \ln K =- nF E ^{\circ}\) We know for a spontaneous reaction \(\Delta G \,<\,0 \text {. }\) \(\therefore- RT \ln K \,<\,0\) \(\therefore \ln K\,>\,0\) \(\therefore K\,>\,1\) and \(- nF E ^{\circ}<0\) \(\therefore E _{\text {cell }}^{\circ}\,>\,0\)
