192083
किसी धात्विक पृष्ठ पर \( 5.5eV\) ऊर्जा के फोटोनों के आपतित होने से \(4eV\) अधिकतम गतिज ऊर्जा के फोटो इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित होते हैं। इन इलेक्ट्रॉनों के लिए आवश्यक निरोधी विभव ........... \(V\) है
192084
\(50 cm\) दूर रखे किसी बिन्दु स्त्रोत के द्वारा एक सीजियम सेल को प्रदीप्त किया जाता है। इस सेल के सिरों पर \(60 V\) का विभवान्तर है। जब वही प्रकाश स्रोत \(1m\) दूर रखा जाये तो सेल से उत्सर्जित फोटो इलेक्ट्रॉन
1 संख्या में एक चौथाई होंगे
2 संख्या में आधे होंगें
3 प्रत्येक का संवेग पूर्व का एक-चौथाई होगा
4 प्रत्येक का संवेग पूर्व का एक-चौथाई होगा
Explanation:
प्रकाश इलेक्ट्रॉनों की संख्या \((N)\) \(\propto\) तीव्रता \( \propto \frac{1}{{{d^2}}}\) \(\Rightarrow \frac{{{N_1}}}{{{N_2}}} = {\left( {\frac{{{d_2}}}{{{d_1}}}} \right)^2}\) \( \Rightarrow \frac{{{N_1}}}{{{N_2}}} = {\left( {\frac{{100}}{{50}}} \right)^2} = \frac{4}{1}\) \(\Rightarrow {N_2} = \frac{{{N_1}}}{4}\)
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किसी धात्विक पृष्ठ पर \( 5.5eV\) ऊर्जा के फोटोनों के आपतित होने से \(4eV\) अधिकतम गतिज ऊर्जा के फोटो इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित होते हैं। इन इलेक्ट्रॉनों के लिए आवश्यक निरोधी विभव ........... \(V\) है
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\(50 cm\) दूर रखे किसी बिन्दु स्त्रोत के द्वारा एक सीजियम सेल को प्रदीप्त किया जाता है। इस सेल के सिरों पर \(60 V\) का विभवान्तर है। जब वही प्रकाश स्रोत \(1m\) दूर रखा जाये तो सेल से उत्सर्जित फोटो इलेक्ट्रॉन
1 संख्या में एक चौथाई होंगे
2 संख्या में आधे होंगें
3 प्रत्येक का संवेग पूर्व का एक-चौथाई होगा
4 प्रत्येक का संवेग पूर्व का एक-चौथाई होगा
Explanation:
प्रकाश इलेक्ट्रॉनों की संख्या \((N)\) \(\propto\) तीव्रता \( \propto \frac{1}{{{d^2}}}\) \(\Rightarrow \frac{{{N_1}}}{{{N_2}}} = {\left( {\frac{{{d_2}}}{{{d_1}}}} \right)^2}\) \( \Rightarrow \frac{{{N_1}}}{{{N_2}}} = {\left( {\frac{{100}}{{50}}} \right)^2} = \frac{4}{1}\) \(\Rightarrow {N_2} = \frac{{{N_1}}}{4}\)
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किसी धात्विक पृष्ठ पर \( 5.5eV\) ऊर्जा के फोटोनों के आपतित होने से \(4eV\) अधिकतम गतिज ऊर्जा के फोटो इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित होते हैं। इन इलेक्ट्रॉनों के लिए आवश्यक निरोधी विभव ........... \(V\) है
192084
\(50 cm\) दूर रखे किसी बिन्दु स्त्रोत के द्वारा एक सीजियम सेल को प्रदीप्त किया जाता है। इस सेल के सिरों पर \(60 V\) का विभवान्तर है। जब वही प्रकाश स्रोत \(1m\) दूर रखा जाये तो सेल से उत्सर्जित फोटो इलेक्ट्रॉन
1 संख्या में एक चौथाई होंगे
2 संख्या में आधे होंगें
3 प्रत्येक का संवेग पूर्व का एक-चौथाई होगा
4 प्रत्येक का संवेग पूर्व का एक-चौथाई होगा
Explanation:
प्रकाश इलेक्ट्रॉनों की संख्या \((N)\) \(\propto\) तीव्रता \( \propto \frac{1}{{{d^2}}}\) \(\Rightarrow \frac{{{N_1}}}{{{N_2}}} = {\left( {\frac{{{d_2}}}{{{d_1}}}} \right)^2}\) \( \Rightarrow \frac{{{N_1}}}{{{N_2}}} = {\left( {\frac{{100}}{{50}}} \right)^2} = \frac{4}{1}\) \(\Rightarrow {N_2} = \frac{{{N_1}}}{4}\)
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किसी धात्विक पृष्ठ पर \( 5.5eV\) ऊर्जा के फोटोनों के आपतित होने से \(4eV\) अधिकतम गतिज ऊर्जा के फोटो इलेक्ट्रॉन उत्सर्जित होते हैं। इन इलेक्ट्रॉनों के लिए आवश्यक निरोधी विभव ........... \(V\) है
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\(50 cm\) दूर रखे किसी बिन्दु स्त्रोत के द्वारा एक सीजियम सेल को प्रदीप्त किया जाता है। इस सेल के सिरों पर \(60 V\) का विभवान्तर है। जब वही प्रकाश स्रोत \(1m\) दूर रखा जाये तो सेल से उत्सर्जित फोटो इलेक्ट्रॉन
1 संख्या में एक चौथाई होंगे
2 संख्या में आधे होंगें
3 प्रत्येक का संवेग पूर्व का एक-चौथाई होगा
4 प्रत्येक का संवेग पूर्व का एक-चौथाई होगा
Explanation:
प्रकाश इलेक्ट्रॉनों की संख्या \((N)\) \(\propto\) तीव्रता \( \propto \frac{1}{{{d^2}}}\) \(\Rightarrow \frac{{{N_1}}}{{{N_2}}} = {\left( {\frac{{{d_2}}}{{{d_1}}}} \right)^2}\) \( \Rightarrow \frac{{{N_1}}}{{{N_2}}} = {\left( {\frac{{100}}{{50}}} \right)^2} = \frac{4}{1}\) \(\Rightarrow {N_2} = \frac{{{N_1}}}{4}\)
