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14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190287 $C s C l$ के अन्त: केन्द्रित संरचना के केन्द्र पर स्थित $C l^{-}$ आयन पर कुल बल है

1 शून्य

2

k e^{2} / a^{2}

3

k e^{2} a^{2}

4 आँकड़े अपर्याप्त हैं

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190288 सोडियम की संरचना अन्त: केन्द्रित घनाकार है। यदि दो निकटतम परमाणुओं के बीच की दूरी $3.7 Å,$ है जब जालक प्राचल ...... $Å$ है

1

4.8

2

4.3

3

3.9

4

3.3

Explanation:

(b)अन्त: केन्द्रित संरचना के लिए दो निकटवर्ती परमाणुओं के बीच की दूरी $d = 2 r = 2 (\frac{\sqrt{3} a}{4})$
==> जालक नियतांक $a = \frac{2 d}{\sqrt{3}} = \frac{2 \times 3.7}{\sqrt{3}} = 4.3 Å$

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190289 निम्न में से कौनसा ठोस अक्रिस्टलीय है

1 काँच

2 हीरा

3 नमक

4 शक्कर

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190290 विद्युत के अच्छे चालकों में उपस्थित बन्ध का प्रकार होता है

1 आयनिक

2 वान्डरवाल्स

3 सहसंयोजक

4 धात्विक

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190291 एक जर्मेनियम क्रिस्टल (अर्द्धचालक) में कौनसा बन्धन (bonding) होता है

1 धात्विक

2 आयनिक

3 वाण्डरवाल

4 सहसंयोजी

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190287 $C s C l$ के अन्त: केन्द्रित संरचना के केन्द्र पर स्थित $C l^{-}$ आयन पर कुल बल है

1 शून्य

2

k e^{2} / a^{2}

3

k e^{2} a^{2}

4 आँकड़े अपर्याप्त हैं

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190288 सोडियम की संरचना अन्त: केन्द्रित घनाकार है। यदि दो निकटतम परमाणुओं के बीच की दूरी $3.7 Å,$ है जब जालक प्राचल ...... $Å$ है

1

4.8

2

4.3

3

3.9

4

3.3

Explanation:

(b)अन्त: केन्द्रित संरचना के लिए दो निकटवर्ती परमाणुओं के बीच की दूरी $d = 2 r = 2 (\frac{\sqrt{3} a}{4})$
==> जालक नियतांक $a = \frac{2 d}{\sqrt{3}} = \frac{2 \times 3.7}{\sqrt{3}} = 4.3 Å$

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190289 निम्न में से कौनसा ठोस अक्रिस्टलीय है

1 काँच

2 हीरा

3 नमक

4 शक्कर

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190290 विद्युत के अच्छे चालकों में उपस्थित बन्ध का प्रकार होता है

1 आयनिक

2 वान्डरवाल्स

3 सहसंयोजक

4 धात्विक

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190291 एक जर्मेनियम क्रिस्टल (अर्द्धचालक) में कौनसा बन्धन (bonding) होता है

1 धात्विक

2 आयनिक

3 वाण्डरवाल

4 सहसंयोजी

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190287 $C s C l$ के अन्त: केन्द्रित संरचना के केन्द्र पर स्थित $C l^{-}$ आयन पर कुल बल है

1 शून्य

2

k e^{2} / a^{2}

3

k e^{2} a^{2}

4 आँकड़े अपर्याप्त हैं

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190288 सोडियम की संरचना अन्त: केन्द्रित घनाकार है। यदि दो निकटतम परमाणुओं के बीच की दूरी $3.7 Å,$ है जब जालक प्राचल ...... $Å$ है

1

4.8

2

4.3

3

3.9

4

3.3

Explanation:

(b)अन्त: केन्द्रित संरचना के लिए दो निकटवर्ती परमाणुओं के बीच की दूरी $d = 2 r = 2 (\frac{\sqrt{3} a}{4})$
==> जालक नियतांक $a = \frac{2 d}{\sqrt{3}} = \frac{2 \times 3.7}{\sqrt{3}} = 4.3 Å$

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190289 निम्न में से कौनसा ठोस अक्रिस्टलीय है

1 काँच

2 हीरा

3 नमक

4 शक्कर

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190290 विद्युत के अच्छे चालकों में उपस्थित बन्ध का प्रकार होता है

1 आयनिक

2 वान्डरवाल्स

3 सहसंयोजक

4 धात्विक

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190291 एक जर्मेनियम क्रिस्टल (अर्द्धचालक) में कौनसा बन्धन (bonding) होता है

1 धात्विक

2 आयनिक

3 वाण्डरवाल

4 सहसंयोजी

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190287 $C s C l$ के अन्त: केन्द्रित संरचना के केन्द्र पर स्थित $C l^{-}$ आयन पर कुल बल है

1 शून्य

2

k e^{2} / a^{2}

3

k e^{2} a^{2}

4 आँकड़े अपर्याप्त हैं

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190288 सोडियम की संरचना अन्त: केन्द्रित घनाकार है। यदि दो निकटतम परमाणुओं के बीच की दूरी $3.7 Å,$ है जब जालक प्राचल ...... $Å$ है

1

4.8

2

4.3

3

3.9

4

3.3

Explanation:

(b)अन्त: केन्द्रित संरचना के लिए दो निकटवर्ती परमाणुओं के बीच की दूरी $d = 2 r = 2 (\frac{\sqrt{3} a}{4})$
==> जालक नियतांक $a = \frac{2 d}{\sqrt{3}} = \frac{2 \times 3.7}{\sqrt{3}} = 4.3 Å$

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190289 निम्न में से कौनसा ठोस अक्रिस्टलीय है

1 काँच

2 हीरा

3 नमक

4 शक्कर

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190290 विद्युत के अच्छे चालकों में उपस्थित बन्ध का प्रकार होता है

1 आयनिक

2 वान्डरवाल्स

3 सहसंयोजक

4 धात्विक

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190291 एक जर्मेनियम क्रिस्टल (अर्द्धचालक) में कौनसा बन्धन (bonding) होता है

1 धात्विक

2 आयनिक

3 वाण्डरवाल

4 सहसंयोजी

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190287 $C s C l$ के अन्त: केन्द्रित संरचना के केन्द्र पर स्थित $C l^{-}$ आयन पर कुल बल है

1 शून्य

2

k e^{2} / a^{2}

3

k e^{2} a^{2}

4 आँकड़े अपर्याप्त हैं

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190288 सोडियम की संरचना अन्त: केन्द्रित घनाकार है। यदि दो निकटतम परमाणुओं के बीच की दूरी $3.7 Å,$ है जब जालक प्राचल ...... $Å$ है

1

4.8

2

4.3

3

3.9

4

3.3

Explanation:

(b)अन्त: केन्द्रित संरचना के लिए दो निकटवर्ती परमाणुओं के बीच की दूरी $d = 2 r = 2 (\frac{\sqrt{3} a}{4})$
==> जालक नियतांक $a = \frac{2 d}{\sqrt{3}} = \frac{2 \times 3.7}{\sqrt{3}} = 4.3 Å$

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190289 निम्न में से कौनसा ठोस अक्रिस्टलीय है

1 काँच

2 हीरा

3 नमक

4 शक्कर

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190290 विद्युत के अच्छे चालकों में उपस्थित बन्ध का प्रकार होता है

1 आयनिक

2 वान्डरवाल्स

3 सहसंयोजक

4 धात्विक

14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)

190291 एक जर्मेनियम क्रिस्टल (अर्द्धचालक) में कौनसा बन्धन (bonding) होता है

1 धात्विक

2 आयनिक

3 वाण्डरवाल

4 सहसंयोजी