196623
ताँबे और सिलिकॉन को \(300\; K\) से \(60\; K\) तक ठण्डा किया जाता है | विशिष्ट प्रतिरोध का मान
1 ताँबे में घटता है परंतु सिलिकॉन में बढ़ता है
2 तांबे में बढ़ता है परन्तु सिलिकॉन में घटता है
3 दोनों में बढ़ता है
4 दोनों में घटता है
Explanation:
The specific resistance or resistivity, \(\rho=\rho_0(1+\alpha T)\) where \(\alpha=\) temperature coefficient of resistivity is positive for metals (copper) and is negative for semiconductor (silicon). Thus, when cooling, resistivity decreases in copper and increases in silicon.
03. CURRENT ELECTRICITY (HM)
195940
एक चालक में \(4.8\) ऐम्पियर की धारा प्रवाहित हो रही है। चालक में से प्रति सैकण्ड प्रवाहित होने वाले इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी
1 \(3 \times {10^{19}}\)
2 \(7.68 \times {10^{21}}\)
3 \(7.68 \times {10^{20}}\)
4 \(3 \times {10^{20}}\)
Explanation:
प्रति सेकण्ड प्रवाहित इलेक्ट्रॉनों की संख्या \(\frac{n}{t} = \frac{i}{e}= 4.8/1.6 \times {10^{ - 19}} = 3 \times {10^{19}}\)
03. CURRENT ELECTRICITY (HM)
195953
वैद्युत क्षेत्र की तीव्रता तथा इलेक्ट्रॉन के अनुगमन वेग में सम्बन्ध है
196623
ताँबे और सिलिकॉन को \(300\; K\) से \(60\; K\) तक ठण्डा किया जाता है | विशिष्ट प्रतिरोध का मान
1 ताँबे में घटता है परंतु सिलिकॉन में बढ़ता है
2 तांबे में बढ़ता है परन्तु सिलिकॉन में घटता है
3 दोनों में बढ़ता है
4 दोनों में घटता है
Explanation:
The specific resistance or resistivity, \(\rho=\rho_0(1+\alpha T)\) where \(\alpha=\) temperature coefficient of resistivity is positive for metals (copper) and is negative for semiconductor (silicon). Thus, when cooling, resistivity decreases in copper and increases in silicon.
03. CURRENT ELECTRICITY (HM)
195940
एक चालक में \(4.8\) ऐम्पियर की धारा प्रवाहित हो रही है। चालक में से प्रति सैकण्ड प्रवाहित होने वाले इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी
1 \(3 \times {10^{19}}\)
2 \(7.68 \times {10^{21}}\)
3 \(7.68 \times {10^{20}}\)
4 \(3 \times {10^{20}}\)
Explanation:
प्रति सेकण्ड प्रवाहित इलेक्ट्रॉनों की संख्या \(\frac{n}{t} = \frac{i}{e}= 4.8/1.6 \times {10^{ - 19}} = 3 \times {10^{19}}\)
03. CURRENT ELECTRICITY (HM)
195953
वैद्युत क्षेत्र की तीव्रता तथा इलेक्ट्रॉन के अनुगमन वेग में सम्बन्ध है
196623
ताँबे और सिलिकॉन को \(300\; K\) से \(60\; K\) तक ठण्डा किया जाता है | विशिष्ट प्रतिरोध का मान
1 ताँबे में घटता है परंतु सिलिकॉन में बढ़ता है
2 तांबे में बढ़ता है परन्तु सिलिकॉन में घटता है
3 दोनों में बढ़ता है
4 दोनों में घटता है
Explanation:
The specific resistance or resistivity, \(\rho=\rho_0(1+\alpha T)\) where \(\alpha=\) temperature coefficient of resistivity is positive for metals (copper) and is negative for semiconductor (silicon). Thus, when cooling, resistivity decreases in copper and increases in silicon.
03. CURRENT ELECTRICITY (HM)
195940
एक चालक में \(4.8\) ऐम्पियर की धारा प्रवाहित हो रही है। चालक में से प्रति सैकण्ड प्रवाहित होने वाले इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी
1 \(3 \times {10^{19}}\)
2 \(7.68 \times {10^{21}}\)
3 \(7.68 \times {10^{20}}\)
4 \(3 \times {10^{20}}\)
Explanation:
प्रति सेकण्ड प्रवाहित इलेक्ट्रॉनों की संख्या \(\frac{n}{t} = \frac{i}{e}= 4.8/1.6 \times {10^{ - 19}} = 3 \times {10^{19}}\)
03. CURRENT ELECTRICITY (HM)
195953
वैद्युत क्षेत्र की तीव्रता तथा इलेक्ट्रॉन के अनुगमन वेग में सम्बन्ध है
196623
ताँबे और सिलिकॉन को \(300\; K\) से \(60\; K\) तक ठण्डा किया जाता है | विशिष्ट प्रतिरोध का मान
1 ताँबे में घटता है परंतु सिलिकॉन में बढ़ता है
2 तांबे में बढ़ता है परन्तु सिलिकॉन में घटता है
3 दोनों में बढ़ता है
4 दोनों में घटता है
Explanation:
The specific resistance or resistivity, \(\rho=\rho_0(1+\alpha T)\) where \(\alpha=\) temperature coefficient of resistivity is positive for metals (copper) and is negative for semiconductor (silicon). Thus, when cooling, resistivity decreases in copper and increases in silicon.
03. CURRENT ELECTRICITY (HM)
195940
एक चालक में \(4.8\) ऐम्पियर की धारा प्रवाहित हो रही है। चालक में से प्रति सैकण्ड प्रवाहित होने वाले इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी
1 \(3 \times {10^{19}}\)
2 \(7.68 \times {10^{21}}\)
3 \(7.68 \times {10^{20}}\)
4 \(3 \times {10^{20}}\)
Explanation:
प्रति सेकण्ड प्रवाहित इलेक्ट्रॉनों की संख्या \(\frac{n}{t} = \frac{i}{e}= 4.8/1.6 \times {10^{ - 19}} = 3 \times {10^{19}}\)
03. CURRENT ELECTRICITY (HM)
195953
वैद्युत क्षेत्र की तीव्रता तथा इलेक्ट्रॉन के अनुगमन वेग में सम्बन्ध है
