14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190330
\(0^\circ K\)पर अर्द्धचालक का प्रतिरोध होता है
1 शून्य
2 अनन्त
3 बहुत
4 कम
Explanation:
(b)\(0\) \(K\) ताप पर अर्द्धचालक कुचालक की भाँति व्यवहार करता है। अत: इसका प्रतिरोध अनन्त है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190269
एक क्रिस्टल एकान्तर क्रम में समान अन्तराल पर, स्थित धन एवं ऋण आयनों से मिलकर बना है। क्रिस्टल बन्धन (Bonding) की प्रकृति है
1 सहसंयोजी
2 धात्विक
3 द्विध्रुवित
4 आयनिक
Explanation:
(d)आयनिक बन्ध परमाणुओं के मध्य इलेक्ट्रॉनों के स्थानान्तरण एवं इनके मध्य पारस्परिक क्रिया के कारण बनते है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190270
किसी क्रिस्टल निकाय के लिए, \(a = b = c,\alpha = \beta = \gamma, \neq 90^{0}\) है। यह संयोजन है
1 चतुष्कोणीय निकाय
2 घनीय निकाय
3 विषम लम्बाक्ष
4 समान्तर “शट्फलक निकाय
Explanation:
(d)द्विसमलम्बाक्ष एवं विषमलम्बाक्ष निकाय के लिए \(\alpha = \beta = \gamma = 90^\circ \)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190273
पोटेशियम की संरचना \(bcc\) है जिसके पड़ोसी परमाणुओं की निकटतम दूरी \(4.525 Å\) है। यदि इसका अणु भार \(39\) हो तो घनत्व \(kg/m^{3}\) होगा
1 \(900\)
2 \(494\)
3 \(602\)
4 \(802\)
Explanation:
(a)घनत्व \(\rho = \frac{{nA}}{{N{{(a)}^3}}}\) यहाँ \(bcc\) संरचना के लिये \(n = 2, A = 39 ×10^{-3} kg\) \(N = 6.02× 10^{23}\), \(a\) \( = \frac{2}{{\sqrt 3 }}d = \frac{2}{{\sqrt 3 }} \times (4.525 \times {10^{ - 10}})m\) (\(d = \) दो निकटतम परमाणुओं के बीच की दूरी \( = \frac{a}{{\sqrt 2 }}\)) मान रखने पर \(= 907\) प्राप्त होता है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190274
परम शून्य ताप पर इलेक्ट्रॉनों की संभावित ऊर्जा कहलाती है
1 फर्मी ऊर्जा
2 उत्सर्जन ऊर्जा
3 कार्य फलन
4 स्थितिज ऊर्जा
Explanation:
(a) \(0\) \(K\) ताप पर संयोजी बैंण्ड में इलेक्ट्रॉन द्वारा प्राप्त उच्चतम ऊर्जा स्तर फर्मी स्तर कहलाता है।
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190330
\(0^\circ K\)पर अर्द्धचालक का प्रतिरोध होता है
1 शून्य
2 अनन्त
3 बहुत
4 कम
Explanation:
(b)\(0\) \(K\) ताप पर अर्द्धचालक कुचालक की भाँति व्यवहार करता है। अत: इसका प्रतिरोध अनन्त है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190269
एक क्रिस्टल एकान्तर क्रम में समान अन्तराल पर, स्थित धन एवं ऋण आयनों से मिलकर बना है। क्रिस्टल बन्धन (Bonding) की प्रकृति है
1 सहसंयोजी
2 धात्विक
3 द्विध्रुवित
4 आयनिक
Explanation:
(d)आयनिक बन्ध परमाणुओं के मध्य इलेक्ट्रॉनों के स्थानान्तरण एवं इनके मध्य पारस्परिक क्रिया के कारण बनते है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190270
किसी क्रिस्टल निकाय के लिए, \(a = b = c,\alpha = \beta = \gamma, \neq 90^{0}\) है। यह संयोजन है
1 चतुष्कोणीय निकाय
2 घनीय निकाय
3 विषम लम्बाक्ष
4 समान्तर “शट्फलक निकाय
Explanation:
(d)द्विसमलम्बाक्ष एवं विषमलम्बाक्ष निकाय के लिए \(\alpha = \beta = \gamma = 90^\circ \)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190273
पोटेशियम की संरचना \(bcc\) है जिसके पड़ोसी परमाणुओं की निकटतम दूरी \(4.525 Å\) है। यदि इसका अणु भार \(39\) हो तो घनत्व \(kg/m^{3}\) होगा
1 \(900\)
2 \(494\)
3 \(602\)
4 \(802\)
Explanation:
(a)घनत्व \(\rho = \frac{{nA}}{{N{{(a)}^3}}}\) यहाँ \(bcc\) संरचना के लिये \(n = 2, A = 39 ×10^{-3} kg\) \(N = 6.02× 10^{23}\), \(a\) \( = \frac{2}{{\sqrt 3 }}d = \frac{2}{{\sqrt 3 }} \times (4.525 \times {10^{ - 10}})m\) (\(d = \) दो निकटतम परमाणुओं के बीच की दूरी \( = \frac{a}{{\sqrt 2 }}\)) मान रखने पर \(= 907\) प्राप्त होता है।
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190274
परम शून्य ताप पर इलेक्ट्रॉनों की संभावित ऊर्जा कहलाती है
1 फर्मी ऊर्जा
2 उत्सर्जन ऊर्जा
3 कार्य फलन
4 स्थितिज ऊर्जा
Explanation:
(a) \(0\) \(K\) ताप पर संयोजी बैंण्ड में इलेक्ट्रॉन द्वारा प्राप्त उच्चतम ऊर्जा स्तर फर्मी स्तर कहलाता है।
NEET Test Series from KOTA - 10 Papers In MS WORD
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14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190330
\(0^\circ K\)पर अर्द्धचालक का प्रतिरोध होता है
1 शून्य
2 अनन्त
3 बहुत
4 कम
Explanation:
(b)\(0\) \(K\) ताप पर अर्द्धचालक कुचालक की भाँति व्यवहार करता है। अत: इसका प्रतिरोध अनन्त है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190269
एक क्रिस्टल एकान्तर क्रम में समान अन्तराल पर, स्थित धन एवं ऋण आयनों से मिलकर बना है। क्रिस्टल बन्धन (Bonding) की प्रकृति है
1 सहसंयोजी
2 धात्विक
3 द्विध्रुवित
4 आयनिक
Explanation:
(d)आयनिक बन्ध परमाणुओं के मध्य इलेक्ट्रॉनों के स्थानान्तरण एवं इनके मध्य पारस्परिक क्रिया के कारण बनते है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190270
किसी क्रिस्टल निकाय के लिए, \(a = b = c,\alpha = \beta = \gamma, \neq 90^{0}\) है। यह संयोजन है
1 चतुष्कोणीय निकाय
2 घनीय निकाय
3 विषम लम्बाक्ष
4 समान्तर “शट्फलक निकाय
Explanation:
(d)द्विसमलम्बाक्ष एवं विषमलम्बाक्ष निकाय के लिए \(\alpha = \beta = \gamma = 90^\circ \)
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190273
पोटेशियम की संरचना \(bcc\) है जिसके पड़ोसी परमाणुओं की निकटतम दूरी \(4.525 Å\) है। यदि इसका अणु भार \(39\) हो तो घनत्व \(kg/m^{3}\) होगा
1 \(900\)
2 \(494\)
3 \(602\)
4 \(802\)
Explanation:
(a)घनत्व \(\rho = \frac{{nA}}{{N{{(a)}^3}}}\) यहाँ \(bcc\) संरचना के लिये \(n = 2, A = 39 ×10^{-3} kg\) \(N = 6.02× 10^{23}\), \(a\) \( = \frac{2}{{\sqrt 3 }}d = \frac{2}{{\sqrt 3 }} \times (4.525 \times {10^{ - 10}})m\) (\(d = \) दो निकटतम परमाणुओं के बीच की दूरी \( = \frac{a}{{\sqrt 2 }}\)) मान रखने पर \(= 907\) प्राप्त होता है।
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190274
परम शून्य ताप पर इलेक्ट्रॉनों की संभावित ऊर्जा कहलाती है
1 फर्मी ऊर्जा
2 उत्सर्जन ऊर्जा
3 कार्य फलन
4 स्थितिज ऊर्जा
Explanation:
(a) \(0\) \(K\) ताप पर संयोजी बैंण्ड में इलेक्ट्रॉन द्वारा प्राप्त उच्चतम ऊर्जा स्तर फर्मी स्तर कहलाता है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190330
\(0^\circ K\)पर अर्द्धचालक का प्रतिरोध होता है
1 शून्य
2 अनन्त
3 बहुत
4 कम
Explanation:
(b)\(0\) \(K\) ताप पर अर्द्धचालक कुचालक की भाँति व्यवहार करता है। अत: इसका प्रतिरोध अनन्त है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190269
एक क्रिस्टल एकान्तर क्रम में समान अन्तराल पर, स्थित धन एवं ऋण आयनों से मिलकर बना है। क्रिस्टल बन्धन (Bonding) की प्रकृति है
1 सहसंयोजी
2 धात्विक
3 द्विध्रुवित
4 आयनिक
Explanation:
(d)आयनिक बन्ध परमाणुओं के मध्य इलेक्ट्रॉनों के स्थानान्तरण एवं इनके मध्य पारस्परिक क्रिया के कारण बनते है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190270
किसी क्रिस्टल निकाय के लिए, \(a = b = c,\alpha = \beta = \gamma, \neq 90^{0}\) है। यह संयोजन है
1 चतुष्कोणीय निकाय
2 घनीय निकाय
3 विषम लम्बाक्ष
4 समान्तर “शट्फलक निकाय
Explanation:
(d)द्विसमलम्बाक्ष एवं विषमलम्बाक्ष निकाय के लिए \(\alpha = \beta = \gamma = 90^\circ \)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190273
पोटेशियम की संरचना \(bcc\) है जिसके पड़ोसी परमाणुओं की निकटतम दूरी \(4.525 Å\) है। यदि इसका अणु भार \(39\) हो तो घनत्व \(kg/m^{3}\) होगा
1 \(900\)
2 \(494\)
3 \(602\)
4 \(802\)
Explanation:
(a)घनत्व \(\rho = \frac{{nA}}{{N{{(a)}^3}}}\) यहाँ \(bcc\) संरचना के लिये \(n = 2, A = 39 ×10^{-3} kg\) \(N = 6.02× 10^{23}\), \(a\) \( = \frac{2}{{\sqrt 3 }}d = \frac{2}{{\sqrt 3 }} \times (4.525 \times {10^{ - 10}})m\) (\(d = \) दो निकटतम परमाणुओं के बीच की दूरी \( = \frac{a}{{\sqrt 2 }}\)) मान रखने पर \(= 907\) प्राप्त होता है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190274
परम शून्य ताप पर इलेक्ट्रॉनों की संभावित ऊर्जा कहलाती है
1 फर्मी ऊर्जा
2 उत्सर्जन ऊर्जा
3 कार्य फलन
4 स्थितिज ऊर्जा
Explanation:
(a) \(0\) \(K\) ताप पर संयोजी बैंण्ड में इलेक्ट्रॉन द्वारा प्राप्त उच्चतम ऊर्जा स्तर फर्मी स्तर कहलाता है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190330
\(0^\circ K\)पर अर्द्धचालक का प्रतिरोध होता है
1 शून्य
2 अनन्त
3 बहुत
4 कम
Explanation:
(b)\(0\) \(K\) ताप पर अर्द्धचालक कुचालक की भाँति व्यवहार करता है। अत: इसका प्रतिरोध अनन्त है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190269
एक क्रिस्टल एकान्तर क्रम में समान अन्तराल पर, स्थित धन एवं ऋण आयनों से मिलकर बना है। क्रिस्टल बन्धन (Bonding) की प्रकृति है
1 सहसंयोजी
2 धात्विक
3 द्विध्रुवित
4 आयनिक
Explanation:
(d)आयनिक बन्ध परमाणुओं के मध्य इलेक्ट्रॉनों के स्थानान्तरण एवं इनके मध्य पारस्परिक क्रिया के कारण बनते है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190270
किसी क्रिस्टल निकाय के लिए, \(a = b = c,\alpha = \beta = \gamma, \neq 90^{0}\) है। यह संयोजन है
1 चतुष्कोणीय निकाय
2 घनीय निकाय
3 विषम लम्बाक्ष
4 समान्तर “शट्फलक निकाय
Explanation:
(d)द्विसमलम्बाक्ष एवं विषमलम्बाक्ष निकाय के लिए \(\alpha = \beta = \gamma = 90^\circ \)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190273
पोटेशियम की संरचना \(bcc\) है जिसके पड़ोसी परमाणुओं की निकटतम दूरी \(4.525 Å\) है। यदि इसका अणु भार \(39\) हो तो घनत्व \(kg/m^{3}\) होगा
1 \(900\)
2 \(494\)
3 \(602\)
4 \(802\)
Explanation:
(a)घनत्व \(\rho = \frac{{nA}}{{N{{(a)}^3}}}\) यहाँ \(bcc\) संरचना के लिये \(n = 2, A = 39 ×10^{-3} kg\) \(N = 6.02× 10^{23}\), \(a\) \( = \frac{2}{{\sqrt 3 }}d = \frac{2}{{\sqrt 3 }} \times (4.525 \times {10^{ - 10}})m\) (\(d = \) दो निकटतम परमाणुओं के बीच की दूरी \( = \frac{a}{{\sqrt 2 }}\)) मान रखने पर \(= 907\) प्राप्त होता है।
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190274
परम शून्य ताप पर इलेक्ट्रॉनों की संभावित ऊर्जा कहलाती है
1 फर्मी ऊर्जा
2 उत्सर्जन ऊर्जा
3 कार्य फलन
4 स्थितिज ऊर्जा
Explanation:
(a) \(0\) \(K\) ताप पर संयोजी बैंण्ड में इलेक्ट्रॉन द्वारा प्राप्त उच्चतम ऊर्जा स्तर फर्मी स्तर कहलाता है।