14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190344
GaAs है
1 तत्व अर्द्धचालक
2 मिश्र अर्द्धचालक
3 कुचालक
4 धात्विक अर्द्धचालक
Explanation:
(b)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190390
एक शुद्ध अर्द्धचालक में डोपिंग की जाती है
1 आवेश वाहकों को उदासीन करने के लिये
2 बहुसंख्यक आवेश वाहकों का सान्द्रण बढ़ाने के लिये
3 फेंकने से पहले उदासीन करने के लिये
4 और अधिक शुद्धिकरण करने के लिये
Explanation:
(b) Doping is the process of adding impurities to intrinsic semiconductors to alter their properties. Doping of intrinsic semiconductor is done to increase the concentration of majority charge carrier so that it can be use as \(p-type\) or \(n-type\) semiconductor in diode.
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190405
अवक्षय क्षेत्र में होते हैं
1 इलेक्ट्रॉन
2 प्रोटोन
3 गतिमान आयन
4 केवल स्थिर आयन
Explanation:
In the depletion region of an unbiased \(P - N\) junction diode there are only fixed ions.
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190437
\(PN\) सन्धि में
1 \(P\) तथा \(N\) दोनों समान विभव पर होते हैं
2 \(N-\)क्षेत्र उच्च विभव पर तथा \(P-\)क्षेत्र निम्न विभव पर होता है
3 \(P\) क्षेत्र उच्च विभव पर तथा \( N\) क्षेत्र निम्न विभव पर होता है
4 \(N\) क्षेत्र निम्न विभव पर तथा \(P-\)क्षेत्र शून्य विभव पर होता है
Explanation:
(b)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190496
NPN-ट्रान्जिस्टर के लिये संग्राहक धारा का मान हमेशा उत्र्सजक धारा से कम होता है, क्योंकि
1 संग्राहक भाग पश्च अभिनति में एवं उत्सर्जक भाग अग्र अभिनति में होता है
2 आधार भाग में इलेक्ट्रॉनों के खत्म होने के बाद शेष भाग संग्राहक क्षेत्र में पहुंचता है
3 संग्राहक भाग अग्र अभिनति में एवं उत्सर्जक भाग पश्च अभिनति में होता है
4 संग्राहक पश्च अभिनति में होने के कारण कम इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करता है
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190344
GaAs है
1 तत्व अर्द्धचालक
2 मिश्र अर्द्धचालक
3 कुचालक
4 धात्विक अर्द्धचालक
Explanation:
(b)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190390
एक शुद्ध अर्द्धचालक में डोपिंग की जाती है
1 आवेश वाहकों को उदासीन करने के लिये
2 बहुसंख्यक आवेश वाहकों का सान्द्रण बढ़ाने के लिये
3 फेंकने से पहले उदासीन करने के लिये
4 और अधिक शुद्धिकरण करने के लिये
Explanation:
(b) Doping is the process of adding impurities to intrinsic semiconductors to alter their properties. Doping of intrinsic semiconductor is done to increase the concentration of majority charge carrier so that it can be use as \(p-type\) or \(n-type\) semiconductor in diode.
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190405
अवक्षय क्षेत्र में होते हैं
1 इलेक्ट्रॉन
2 प्रोटोन
3 गतिमान आयन
4 केवल स्थिर आयन
Explanation:
In the depletion region of an unbiased \(P - N\) junction diode there are only fixed ions.
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190437
\(PN\) सन्धि में
1 \(P\) तथा \(N\) दोनों समान विभव पर होते हैं
2 \(N-\)क्षेत्र उच्च विभव पर तथा \(P-\)क्षेत्र निम्न विभव पर होता है
3 \(P\) क्षेत्र उच्च विभव पर तथा \( N\) क्षेत्र निम्न विभव पर होता है
4 \(N\) क्षेत्र निम्न विभव पर तथा \(P-\)क्षेत्र शून्य विभव पर होता है
Explanation:
(b)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190496
NPN-ट्रान्जिस्टर के लिये संग्राहक धारा का मान हमेशा उत्र्सजक धारा से कम होता है, क्योंकि
1 संग्राहक भाग पश्च अभिनति में एवं उत्सर्जक भाग अग्र अभिनति में होता है
2 आधार भाग में इलेक्ट्रॉनों के खत्म होने के बाद शेष भाग संग्राहक क्षेत्र में पहुंचता है
3 संग्राहक भाग अग्र अभिनति में एवं उत्सर्जक भाग पश्च अभिनति में होता है
4 संग्राहक पश्च अभिनति में होने के कारण कम इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करता है
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190344
GaAs है
1 तत्व अर्द्धचालक
2 मिश्र अर्द्धचालक
3 कुचालक
4 धात्विक अर्द्धचालक
Explanation:
(b)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190390
एक शुद्ध अर्द्धचालक में डोपिंग की जाती है
1 आवेश वाहकों को उदासीन करने के लिये
2 बहुसंख्यक आवेश वाहकों का सान्द्रण बढ़ाने के लिये
3 फेंकने से पहले उदासीन करने के लिये
4 और अधिक शुद्धिकरण करने के लिये
Explanation:
(b) Doping is the process of adding impurities to intrinsic semiconductors to alter their properties. Doping of intrinsic semiconductor is done to increase the concentration of majority charge carrier so that it can be use as \(p-type\) or \(n-type\) semiconductor in diode.
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190405
अवक्षय क्षेत्र में होते हैं
1 इलेक्ट्रॉन
2 प्रोटोन
3 गतिमान आयन
4 केवल स्थिर आयन
Explanation:
In the depletion region of an unbiased \(P - N\) junction diode there are only fixed ions.
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190437
\(PN\) सन्धि में
1 \(P\) तथा \(N\) दोनों समान विभव पर होते हैं
2 \(N-\)क्षेत्र उच्च विभव पर तथा \(P-\)क्षेत्र निम्न विभव पर होता है
3 \(P\) क्षेत्र उच्च विभव पर तथा \( N\) क्षेत्र निम्न विभव पर होता है
4 \(N\) क्षेत्र निम्न विभव पर तथा \(P-\)क्षेत्र शून्य विभव पर होता है
Explanation:
(b)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190496
NPN-ट्रान्जिस्टर के लिये संग्राहक धारा का मान हमेशा उत्र्सजक धारा से कम होता है, क्योंकि
1 संग्राहक भाग पश्च अभिनति में एवं उत्सर्जक भाग अग्र अभिनति में होता है
2 आधार भाग में इलेक्ट्रॉनों के खत्म होने के बाद शेष भाग संग्राहक क्षेत्र में पहुंचता है
3 संग्राहक भाग अग्र अभिनति में एवं उत्सर्जक भाग पश्च अभिनति में होता है
4 संग्राहक पश्च अभिनति में होने के कारण कम इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करता है
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14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190344
GaAs है
1 तत्व अर्द्धचालक
2 मिश्र अर्द्धचालक
3 कुचालक
4 धात्विक अर्द्धचालक
Explanation:
(b)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190390
एक शुद्ध अर्द्धचालक में डोपिंग की जाती है
1 आवेश वाहकों को उदासीन करने के लिये
2 बहुसंख्यक आवेश वाहकों का सान्द्रण बढ़ाने के लिये
3 फेंकने से पहले उदासीन करने के लिये
4 और अधिक शुद्धिकरण करने के लिये
Explanation:
(b) Doping is the process of adding impurities to intrinsic semiconductors to alter their properties. Doping of intrinsic semiconductor is done to increase the concentration of majority charge carrier so that it can be use as \(p-type\) or \(n-type\) semiconductor in diode.
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190405
अवक्षय क्षेत्र में होते हैं
1 इलेक्ट्रॉन
2 प्रोटोन
3 गतिमान आयन
4 केवल स्थिर आयन
Explanation:
In the depletion region of an unbiased \(P - N\) junction diode there are only fixed ions.
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190437
\(PN\) सन्धि में
1 \(P\) तथा \(N\) दोनों समान विभव पर होते हैं
2 \(N-\)क्षेत्र उच्च विभव पर तथा \(P-\)क्षेत्र निम्न विभव पर होता है
3 \(P\) क्षेत्र उच्च विभव पर तथा \( N\) क्षेत्र निम्न विभव पर होता है
4 \(N\) क्षेत्र निम्न विभव पर तथा \(P-\)क्षेत्र शून्य विभव पर होता है
Explanation:
(b)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190496
NPN-ट्रान्जिस्टर के लिये संग्राहक धारा का मान हमेशा उत्र्सजक धारा से कम होता है, क्योंकि
1 संग्राहक भाग पश्च अभिनति में एवं उत्सर्जक भाग अग्र अभिनति में होता है
2 आधार भाग में इलेक्ट्रॉनों के खत्म होने के बाद शेष भाग संग्राहक क्षेत्र में पहुंचता है
3 संग्राहक भाग अग्र अभिनति में एवं उत्सर्जक भाग पश्च अभिनति में होता है
4 संग्राहक पश्च अभिनति में होने के कारण कम इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करता है
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190344
GaAs है
1 तत्व अर्द्धचालक
2 मिश्र अर्द्धचालक
3 कुचालक
4 धात्विक अर्द्धचालक
Explanation:
(b)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190390
एक शुद्ध अर्द्धचालक में डोपिंग की जाती है
1 आवेश वाहकों को उदासीन करने के लिये
2 बहुसंख्यक आवेश वाहकों का सान्द्रण बढ़ाने के लिये
3 फेंकने से पहले उदासीन करने के लिये
4 और अधिक शुद्धिकरण करने के लिये
Explanation:
(b) Doping is the process of adding impurities to intrinsic semiconductors to alter their properties. Doping of intrinsic semiconductor is done to increase the concentration of majority charge carrier so that it can be use as \(p-type\) or \(n-type\) semiconductor in diode.
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190405
अवक्षय क्षेत्र में होते हैं
1 इलेक्ट्रॉन
2 प्रोटोन
3 गतिमान आयन
4 केवल स्थिर आयन
Explanation:
In the depletion region of an unbiased \(P - N\) junction diode there are only fixed ions.
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190437
\(PN\) सन्धि में
1 \(P\) तथा \(N\) दोनों समान विभव पर होते हैं
2 \(N-\)क्षेत्र उच्च विभव पर तथा \(P-\)क्षेत्र निम्न विभव पर होता है
3 \(P\) क्षेत्र उच्च विभव पर तथा \( N\) क्षेत्र निम्न विभव पर होता है
4 \(N\) क्षेत्र निम्न विभव पर तथा \(P-\)क्षेत्र शून्य विभव पर होता है
Explanation:
(b)
14. SEMICONDUCTOR ELECTRONICS- MATERIALS- DEVICES AND SIMPLE CIRCUITS (HM)
190496
NPN-ट्रान्जिस्टर के लिये संग्राहक धारा का मान हमेशा उत्र्सजक धारा से कम होता है, क्योंकि
1 संग्राहक भाग पश्च अभिनति में एवं उत्सर्जक भाग अग्र अभिनति में होता है
2 आधार भाग में इलेक्ट्रॉनों के खत्म होने के बाद शेष भाग संग्राहक क्षेत्र में पहुंचता है
3 संग्राहक भाग अग्र अभिनति में एवं उत्सर्जक भाग पश्च अभिनति में होता है
4 संग्राहक पश्च अभिनति में होने के कारण कम इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करता है